{"id":155,"date":"2017-12-16T21:36:22","date_gmt":"2017-12-16T20:36:22","guid":{"rendered":"http:\/\/pbelaire.free.fr\/wordpress\/?page_id=155"},"modified":"2017-12-16T21:36:22","modified_gmt":"2017-12-16T20:36:22","slug":"les-transistors","status":"publish","type":"page","link":"https:\/\/ordi-tech.fr\/index.php\/les-transistors\/","title":{"rendered":"Les transistors"},"content":{"rendered":"<p align=\"left\"><i><span style=\"font-size: large;\">Utilit\u00e9 des transistors<\/span><\/i><\/p>\n<p>Invent\u00e9 en 1948 par les Am\u00e9ricains\u00a0<a href=\"http:\/\/pbelaire.free.fr\/electronique_formation_biographies.htm#bardeen\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">J. Bardeen<\/a>, W. Brattain et W. Shockley, le transistor est un composant \u00e0 semi-conducteur qui remplit deux fonctions vitales en \u00e9lectronique: celles d&rsquo;<strong>amplificateur<\/strong>\u00a0(c&rsquo;est un g\u00e9n\u00e9rateur de fort courant en sortie command\u00e9 par un faible courant en entr\u00e9e) et de\u00a0<strong>commutateur<\/strong>\u00a0(\u00e0 la mani\u00e8re d&rsquo;un interrupteur marche\/arr\u00eat).<br \/>\nCertains transistors sont sp\u00e9cialis\u00e9s dans l&rsquo;une ou l&rsquo;autre de ces fonctions, d&rsquo;autres sont aptes \u00e0 les remplir toutes deux (d\u00e9sign\u00e9s \u00ab\u00a0<em>general purpose<\/em>\u00a0\u00bb en anglais).<br \/>\nIl existe en outre plusieurs familles technologiques de transistors; nous en reparlerons plus loin.<\/p>\n<blockquote><p>Pr\u00e9cision importante: en d\u00e9pit de son apparente \u00ab\u00a0simplicit\u00e9\u00a0\u00bb, le transistor demeure un composant assez complexe, aussi bien sur le plan th\u00e9orique que pour sa mise en oeuvre. Nous nous bornerons ici \u00e0 d\u00e9crire son fonctionnement et ses principaux param\u00e8tres de mani\u00e8re tr\u00e8s succinte.<\/p><\/blockquote>\n<p align=\"right\">\n<p align=\"left\"><i><span style=\"font-size: large;\">Constitution et principe de fonctionnement d&rsquo;un transistor \u00e0 jonction<\/span><\/i><\/p>\n<p>Un\u00a0<strong>transistor \u00e0 jonction bipolaire\u00a0<\/strong>est un composant \u00e0 semi-conducteur constitu\u00e9 de 2 jonctions P-N, tr\u00e8s proches l&rsquo;une de l&rsquo;autre. Une diode ordinaire \u00e9tant elle-m\u00eame constitu\u00e9e d&rsquo;une unique jonction P-N, on pourrait dire qu&rsquo;un transistor contient 2 diodes.<br \/>\nUn transistor est form\u00e9 de 3 zones (N-P-N ou P-N-P selon son type), tel qu&rsquo;illustr\u00e9 sur le dessin ci-dessous. Chaque \u00ab\u00a0zone\u00a0\u00bb est reli\u00e9e \u00e0 une \u00e9lectrode:\u00a0<strong>base (B)<\/strong>,\u00a0<strong>\u00e9metteur (E)<\/strong>,\u00a0<strong>collecteur (C)<\/strong>. La base, on le constate, est tr\u00e8s mince: son \u00e9paisseur est de l&rsquo;ordre de quelques microns seulement.<\/p>\n<p align=\"center\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" src=\"http:\/\/pbelaire.free.fr\/images\/imageC40.gif\" alt=\"Constitution d'un transistor\" width=\"327\" height=\"89\" \/><\/p>\n<p>D&rsquo;une mani\u00e8re tr\u00e8s sch\u00e9matique, on pourrait dire qu&rsquo;une jonction P-N fonctionne comme suit: si elle n&rsquo;est soumise \u00e0 aucune tension ext\u00e9rieure, les \u00e9lectrons (charges n\u00e9gatives) sont majoritaires dans la zone N, les \u00ab\u00a0trous\u00a0\u00bb (charges positives) sont majoritaires dans la zone P et entre les deux, on trouve une zone \u00ab\u00a0neutre\u00a0\u00bb, d\u00e9sert\u00e9e. Appliquons maintenant une tension inverse \u00e0 cette jonction: on augmente le champ \u00e9lectrique de la zone centrale, ce qui a pour effet de repousser encore plus loin les \u00e9lectrons de la zone N et les \u00ab\u00a0trous\u00a0\u00bb de la zone P. Cons\u00e9quence: la zone \u00ab\u00a0neutre\u00a0\u00bb s&rsquo;\u00e9largit, la diode est\u00a0<em><strong>bloqu\u00e9e<\/strong><\/em>, ou non passante.<br \/>\nSi maintenant on inverse la polarit\u00e9 de la tension aux bornes de la jonction, c&rsquo;est-\u00e0-dire si on lui applique une tension directe, sup\u00e9rieure \u00e0 0,7 V environ, on annule le champ \u00e9lectrique de la zone centrale (\u00ab\u00a0neutre\u00a0\u00bb), ce qui provoque le d\u00e9placement des charges n\u00e9gatives de la zone N vers les \u00ab\u00a0trous\u00a0\u00bb de la zone P: il y a donc circulation d&rsquo;un courant \u00e9lectrique, la diode devient\u00a0<em><strong>passante<\/strong><\/em>.<\/p>\n<p align=\"right\">\n<p><i><span style=\"font-size: large;\">Effet transistor et gain en courant<\/span><\/i><br \/>\nRevenons au transistor et consid\u00e9rons le petit montage repr\u00e9sent\u00e9 sur le dessin ci-dessous.<\/p>\n<p align=\"center\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" src=\"http:\/\/pbelaire.free.fr\/images\/imageC41.gif\" alt=\"Effet transistor\" width=\"231\" height=\"146\" \/><\/p>\n<p>La jonction E-B est polaris\u00e9e dans le sens passant, mais la jonction B-C, polaris\u00e9e en inverse, est bloqu\u00e9e. Il circule donc un courant de E \u00e0 B, appelons-le Ib. La base, on s&rsquo;en souvient, est une zone tr\u00e8s \u00e9troite et les \u00e9lectrons qui arrivent de l&rsquo;\u00e9metteur vont certes se combiner avec les \u00ab\u00a0trous\u00a0\u00bb (peu nombreux) de la base, mais ils seront en majorit\u00e9 fortement attir\u00e9s vers la zone du collecteur par le champ \u00e9lectrique cr\u00e9\u00e9 par la polarisation inverse de la jonction B-C: il en r\u00e9sulte, sous l&rsquo;effet d&rsquo;avalanche, un important courant de collecteur, Ic. C&rsquo;est ce qu&rsquo;on appelle l&rsquo;<strong>effet transistor<\/strong>.<br \/>\nLe courant de collecteur Ic est proportionnel au courant de base Ib, le facteur\u00a0<span style=\"font-size: medium;\">\u00df<\/span>\u00a0(b\u00e9ta) \u00e9tant le\u00a0<strong>gain en courant<\/strong>. Cette relation est fondamentale:<\/p>\n<p align=\"center\"><strong>I<\/strong><sub><strong>c\u00a0<\/strong><\/sub><strong>=<\/strong><sub><strong>\u00a0<\/strong><\/sub><strong>\u00df I<\/strong><sub><strong>b<\/strong><\/sub><\/p>\n<p>Pour donner un ordre de grandeur, le gain en courant peut varier de 10 \u00e0 500, voire 1000, selon le mod\u00e8le de transistor.<br \/>\nQuand la tension collecteur \u00e9metteur V<sub>CE<\/sub>\u00a0diminue pour devenir tr\u00e8s faible, la jonction B-C cesse d&rsquo;\u00eatre polaris\u00e9e en inverse, et l&rsquo;effet transistor d\u00e9cro\u00eet alors tr\u00e8s rapidement. A la limite, la jonction B-C devient aussi polaris\u00e9e en direct: on n&rsquo;a plus un transistor, mais l&rsquo;\u00e9quivalent de deux diodes en parall\u00e8le. On dit que le transistor est\u00a0<strong>satur\u00e9<\/strong>.<\/p>\n<table border=\"0\" cellspacing=\"4\" cellpadding=\"3\">\n<tbody>\n<tr>\n<td><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" src=\"http:\/\/pbelaire.free.fr\/images\/image37bis.gif\" width=\"340\" height=\"309\" \/><\/td>\n<td>\n<p align=\"justify\">Une analogie hydraulique est propos\u00e9e ci-contre: un courant\u00a0<strong>Ib<\/strong>\u00a0assez faible permet l&rsquo;ouverture du \u00ab\u00a0robinet\u00a0\u00bb (B), ce qui provoque via l&rsquo;\u00e9metteur (E) l&rsquo;\u00e9coulement d&rsquo;un fort courant\u00a0<strong>Ic<\/strong>\u00a0en provenance du r\u00e9servoir collecteur (C). Notez que lorsque le \u00ab\u00a0robinet\u00a0\u00bb est compl\u00e8tement ouvert, le courant\u00a0<strong>Ic<\/strong>\u00a0est maximal: il existe donc (on s&rsquo;en doutait!) une limite physique au gain en courant. Cette analogie n&rsquo;a qu&rsquo;un but p\u00e9dagogique, mais elle illustre assez bien l&rsquo;effet transistor.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<p align=\"right\">\n<p align=\"left\"><i><span style=\"font-size: large;\">Transistors NPN et PNP<\/span><\/i><\/p>\n<p>Il existe deux mani\u00e8res de disposer les jonctions P-N pour fabriquer un transistor:<\/p>\n<ul>\n<li>une zone N, une zone P et une zone N: on a alors un\u00a0<strong>transistor NPN<\/strong>\u00a0(c&rsquo;est le mod\u00e8le le plus r\u00e9pandu);<\/li>\n<li>une zone P, une zone N et une zone P: on a dans ce cas un\u00a0<strong>transistor PNP<\/strong>.<\/li>\n<\/ul>\n<p align=\"center\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" src=\"http:\/\/pbelaire.free.fr\/images\/imageC42.gif\" alt=\"Transistors NPN et PNP\" width=\"525\" height=\"210\" \/><\/p>\n<p>Dans un transistor NPN, les courants de base Ib et de collecteur Ic sont rentrants, et le courant d&rsquo;\u00e9metteur Ie est sortant. Dans un transistor PNP, les courants de base Ib et de collecteur Ic sont sortants, et le courant d&rsquo;\u00e9metteur Ie est rentrant.<\/p>\n<blockquote><p>Attention! De l&rsquo;ext\u00e9rieur, rien ne permet de distinguer un NPN d&rsquo;un PNP, sinon la r\u00e9f\u00e9rence du mod\u00e8le, s\u00e9rigraphi\u00e9e en caract\u00e8res tr\u00e8s petits! Ne confondez pas un BC327B (PNP) et un BC337B (NPN)&#8230;<\/p><\/blockquote>\n<p align=\"right\">\n<p align=\"left\"><i><span style=\"font-size: large;\">Caract\u00e9ristiques des transistors bipolaires<\/span><\/i><\/p>\n<p>Consid\u00e9rons le montage ci-dessous, appel\u00e9 en \u00ab\u00a0\u00e9metteur commun\u00a0\u00bb, car la patte commune est l&rsquo;\u00e9metteur du transistor PNP. L&rsquo;entr\u00e9e du montage est la base et la sortie le collecteur.<\/p>\n<p align=\"center\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" src=\"http:\/\/pbelaire.free.fr\/images\/imageC43.gif\" alt=\"Montage \u00e9metteur commun\" width=\"347\" height=\"246\" \/><\/p>\n<p>Dans ce montage, la base est polaris\u00e9e par la r\u00e9sistance d\u00e9sign\u00e9e Rb. Le potentiel de la base est d&rsquo;environ 0,7 V, car l&rsquo;\u00e9metteur est \u00e0 la masse et la jonction base \u00e9metteur \u00e9quivaut \u00e0 une diode passante.<br \/>\nLe collecteur est polaris\u00e9 par la r\u00e9sistance d\u00e9sign\u00e9e Rc, de telle mani\u00e8re que la tension du collecteur soit sup\u00e9rieure \u00e0 la tension de la base (V<sub>CE<\/sub>\u00a0&gt; V<sub>BE<\/sub>): la jonction base collecteur est alors polaris\u00e9e en inverse.<br \/>\nL&rsquo;entr\u00e9e est caract\u00e9ris\u00e9e par les deux grandeurs I<sub>B<\/sub>\u00a0et V<sub>BE<\/sub>, et la sortie par les grandeurs I<sub>C<\/sub>\u00a0et V<sub>CE<\/sub>, soit 4 variables.<\/p>\n<p align=\"center\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" src=\"http:\/\/pbelaire.free.fr\/images\/imageC44.gif\" alt=\"Caract\u00e9ristiques\" width=\"469\" height=\"196\" \/><\/p>\n<p align=\"center\">Caract\u00e9ristiques d&rsquo;entr\u00e9e (\u00e0 gauche) et de transfert (\u00e0 droite) du transistor.<\/p>\n<p>La figure ci-dessus montre les caract\u00e9ristiques d&rsquo;entr\u00e9e et de transfert du transistor.<br \/>\nLa\u00a0<strong>caract\u00e9ristique d&rsquo;entr\u00e9e<\/strong>\u00a0du transistor correspond \u00e0 la relation I<sub>B<\/sub>\u00a0= f (V<sub>BE<\/sub>), V<sub>CE<\/sub>\u00a0\u00e9tant constante. Cette caract\u00e9ristique, on le constate, ressemble beaucoup, et pour cause, \u00e0 celle d&rsquo;une diode: en effet, la jonction base \u00e9metteur du transistor \u00e9quivaut \u00e0 une jonction de diode.<br \/>\nLa\u00a0<strong>caract\u00e9ristique de transfert<\/strong>\u00a0est d\u00e9finie par la relation I<sub>C<\/sub>\u00a0= f (I<sub>B<\/sub>), V<sub>CE<\/sub>\u00a0\u00e9tant constante. La caract\u00e9ristique de transfert est une droite; on se souvient, nous l&rsquo;avons vu plus haut, que le courant de collecteur Ic est proportionnel au courant de base Ib, le facteur\u00a0<span style=\"font-size: medium;\">\u00df<\/span>\u00a0(beta) \u00e9tant appel\u00e9\u00a0<strong>gain en courant<\/strong>. On peut donc dire que le\u00a0<em><strong>transistor se comporte comme un g\u00e9n\u00e9rateur de courant command\u00e9 (ou \u00ab\u00a0pilot\u00e9\u00a0\u00bb) par un courant<\/strong><\/em>.<\/p>\n<blockquote><p>On notera que l&rsquo;origine de la droite ne passe pas par 0, mais par une valeur not\u00e9e I<sub>CEO<\/sub>, qui correspond au courant de fuite (<em>leakage current<\/em>, en anglais), courant circulant dans le collecteur. Cette valeur \u00e9tant g\u00e9n\u00e9ralement tr\u00e8s faible, on pourra le plus souvent la n\u00e9gliger.<\/p><\/blockquote>\n<table border=\"0\">\n<tbody>\n<tr>\n<td><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" src=\"http:\/\/pbelaire.free.fr\/images\/imageC44A.gif\" alt=\"caract\u00e9ristique de sortie\" width=\"261\" height=\"203\" \/><\/td>\n<td>\n<p align=\"justify\">La\u00a0<strong>caract\u00e9ristique de sortie<\/strong>\u00a0du transistor (figure de gauche) correspond \u00e0 la relation I<sub>C<\/sub>\u00a0= f (V<sub>CE<\/sub>), I<sub>B<\/sub>\u00a0\u00e9tant constant. Dans la pratique, on trace plusieurs caract\u00e9ristiques pour diff\u00e9rentes valeurs de I<sub>B<\/sub>. La zone \u00ab\u00a0gris\u00e9e\u00a0\u00bb correspond \u00e0 la zone de\u00a0<strong>saturation<\/strong>: quand la tension V<sub>CE<\/sub>\u00a0diminue pour devenir tr\u00e8s faible, la jonction collecteur-base cesse d&rsquo;\u00eatre polaris\u00e9e en inverse, et l&rsquo;effet transistor d\u00e9cro\u00eet alors tr\u00e8s rapidement. L&rsquo;autre partie du graphe montre que le courant de collecteur I<sub>C\u00a0<\/sub>d\u00e9pend tr\u00e8s peu de la tension V<sub>CE<\/sub>: nous avons l\u00e0 la caract\u00e9ristique d&rsquo;un g\u00e9n\u00e9rateur de courant.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<table border=\"0\">\n<tbody>\n<tr>\n<td>\n<p align=\"justify\">Les trois caract\u00e9ristiques que nous venons de voir (entr\u00e9e, transfert, sortie), sont g\u00e9n\u00e9ralement regroup\u00e9es sur un graphique comme celui de la figure ci-contre. Ce graphique facilite le calcul de la valeur des r\u00e9sistances de base Rb et de collecteur Rc, n\u00e9cessaires \u00e0 la polarisation du transistor.<\/p>\n<\/td>\n<td><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" src=\"http:\/\/pbelaire.free.fr\/images\/imageC44B.gif\" alt=\"graphique\" width=\"419\" height=\"353\" \/><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<p>&nbsp;<br \/>\n<i><span style=\"font-size: large;\">D\u00e9signation des transistors<\/span><\/i><br \/>\nLe nombre de mod\u00e8les distincts de transistors produits depuis les ann\u00e9es 50 d\u00e9passe sans doute les 100.000&#8230; M\u00eame si un tr\u00e8s grand nombre de ces mod\u00e8les ne sont plus disponibles parce que devenus obsol\u00e8tes, les catalogues des fabricants comportent encore des centaines, voire des milliers de r\u00e9f\u00e9rences. Comment s&rsquo;y retrouver pour identifier un mod\u00e8le particulier?<br \/>\nIl existe au moins trois normes de codage: la norme am\u00e9ricaine JEDEC (<em>Joint Electron Device Engineering Council<\/em>), la norme europ\u00e9enne Pro Electron et la norme japonaise JIS (<em>Japanese Industrial Standards<\/em>).<br \/>\nLa norme\u00a0<strong>JEDEC<\/strong>\u00a0affecte le pr\u00e9fixe 1N aux diodes, le pr\u00e9fixe 2N aux transistors, thyristors et triacs. Vient ensuite un num\u00e9ro de s\u00e9rie \u00e0 quatre chiffres, puis \u00e9ventuellement un suffixe, facultatif. Le suffixe A signifie \u00ab\u00a0faible gain\u00a0\u00bb, B signifie \u00ab\u00a0gain moyen\u00a0\u00bb, C signifie \u00ab\u00a0gain \u00e9lev\u00e9\u00a0\u00bb.<br \/>\nExemples: la\u00a0<strong>1N4148<\/strong>\u00a0est une diode, le\u00a0<strong>2N2222A<\/strong>\u00a0est un transistor \u00e0 faible gain.<br \/>\nLa norme\u00a0<strong>Pro Electron<\/strong>\u00a0impose un codage comportant trois informations: une premi\u00e8re lettre d\u00e9signe le mat\u00e9riau semi-conducteur utilis\u00e9, une deuxi\u00e8me lettre renseigne sur la nature du composant, puis vient un groupe de trois chiffres (pour les produits \u00ab\u00a0grand public\u00a0\u00bb) ou deux chiffres et une lettre (produits industriels). Voici un r\u00e9capitulatif simplifi\u00e9:<\/p>\n<div align=\"center\"><center><\/p>\n<table border=\"1\" cellspacing=\"3\" cellpadding=\"2\">\n<tbody>\n<tr>\n<td rowspan=\"7\"><strong>B<\/strong>: silicium<\/td>\n<td><strong>A<\/strong>: diode, signal<\/td>\n<td rowspan=\"7\" align=\"center\">100 \u00e0 999ou<br \/>\n10 \u00e0 99 + lettre<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><strong>C<\/strong>: transistor, low power, audio frequency<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><strong>D<\/strong>: transistor, power, audio frequency<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><strong>F<\/strong>: transistor, low power, high frequency<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><strong>R<\/strong>: switching device, low power (e.g. thyristor)<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><strong>U<\/strong>: transistor, power switching<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><strong>Y<\/strong>: diode, rectifier<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<p><\/center><\/div>\n<p>Exemples: la\u00a0<strong>BA159<\/strong>\u00a0est un diode signal, le\u00a0<strong>BC547<\/strong>\u00a0est un transistor faible puissance, le\u00a0<strong>BD135<\/strong>\u00a0est un transistor de puissance.<br \/>\nTout ceci serait relativement clair s&rsquo;il n&rsquo;existait toutes sortes de d\u00e9rogations&#8230; Ainsi, certains fabricants n&rsquo;ont rien trouv\u00e9 de mieux que d&rsquo;inventer un codage \u00ab\u00a0maison\u00a0\u00bb. Voici quelques pr\u00e9fixes courants:<br \/>\nMJ: Motorola, puissance, bo\u00eetier m\u00e9tallique<br \/>\nMJE: Motorola, puissance, bo\u00eetier plastique (exemple: MJE3055)<br \/>\nMPS: Motorola, faible puissance, bo\u00eetier plastique<br \/>\nTIP: Texas Instruments, puissance, bo\u00eetier plastique (exemple: TIP35C)<br \/>\nCette petite liste, bien entendu, n&rsquo;est pas exhaustive&#8230;<br \/>\nSignalons d&rsquo;autre part que sur les sch\u00e9mas am\u00e9ricains ou japonais, les transistors sont souvent d\u00e9sign\u00e9s par la lettre g\u00e9n\u00e9rique Q, alors qu&rsquo;en France on pr\u00e9f\u00e8re la lettre T.<\/p>\n<p align=\"right\">\n<p><i><span style=\"font-size: large;\">Principaux param\u00e8tres des transistors bipolaires<\/span><\/i><br \/>\nLe n\u00e9ophyte sera sans doute effray\u00e9 par le nombre de param\u00e8tres d&rsquo;apparence plus ou moins \u00e9sot\u00e9rique figurant sur la fiche technique compl\u00e8te (<em>data sheet<\/em>) d&rsquo;un transistor quelconque&#8230; En r\u00e9alit\u00e9, tous les param\u00e8tres ne pr\u00e9sentent pas le m\u00eame int\u00e9r\u00eat. Bien souvent, dans la pratique, le choix d&rsquo;un mod\u00e8le de transistor ne d\u00e9pendra que de quelques param\u00e8tres.<\/p>\n<div align=\"center\"><center><\/p>\n<table border=\"1\" cellpadding=\"2\">\n<tbody>\n<tr>\n<td>V<sub>CEMax<\/sub><\/td>\n<td>Tension collecteur \u00e9metteur maxi, ou tension de claquage. Au del\u00e0 de cette tension, le courant de collecteur I<sub>C\u00a0<\/sub>cro\u00eet tr\u00e8s rapidement s&rsquo;il n&rsquo;est pas limit\u00e9 \u00e0 l&rsquo;ext\u00e9rieur du transistor.<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>I<sub>CMax<\/sub><\/td>\n<td>Courant de collecteur maxi. A partir de cette valeur, le gain en courant va fortement chuter et le transistor risque d&rsquo;\u00eatre d\u00e9truit.<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>h<sub>FE<\/sub>\u00a0(\u00df)<\/td>\n<td>Gain en courant (param\u00e8tre essentiel en amplification).<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td nowrap=\"nowrap\">P<sub>TotMax<\/sub><\/td>\n<td>Puissance maxi que le transistor pourra dissiper, donn\u00e9e par la formule: V<sub>CE<\/sub>\u00a0x I<sub>c<\/sub>. Attention, un transistor, \u00e7a chauffe!<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>V<sub>CESat<\/sub><\/td>\n<td>Tension de saturation (utile en commutation).<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<p><\/center><\/div>\n<p align=\"left\">\n<p align=\"left\">A titre d&rsquo;exemple, voici ce qu&rsquo;on peut trouver dans un catalogue de fabricant:<\/p>\n<div align=\"center\"><center><\/p>\n<table border=\"1\" cellpadding=\"2\">\n<tbody>\n<tr>\n<td align=\"center\" valign=\"top\"><strong>Type number<\/strong><\/td>\n<td align=\"center\" valign=\"top\"><strong>Package<\/strong><\/td>\n<td align=\"center\"><strong>V<\/strong><sub><strong>CE<\/strong><\/sub><strong>\u00a0max<\/strong><strong>(V)<\/strong><\/td>\n<td align=\"center\"><strong>I<\/strong><sub><strong>C<\/strong><\/sub><strong>\u00a0max<\/strong><strong>(mA)<\/strong><\/td>\n<td align=\"center\"><strong>P<\/strong><sub><strong>TOT<\/strong><\/sub><strong>(mW)<\/strong><\/td>\n<td align=\"center\" valign=\"top\"><strong>h<\/strong><sub><strong>FE<\/strong><\/sub><strong>\u00a0min<\/strong><\/td>\n<td align=\"center\" valign=\"top\"><strong>h<\/strong><sub><strong>FE<\/strong><\/sub><strong>\u00a0max<\/strong><\/td>\n<td align=\"center\"><strong>f<\/strong><sub><strong>T<\/strong><\/sub><strong>(MHz)<\/strong><\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td align=\"center\">2N3904<\/td>\n<td align=\"center\">TO-92<\/td>\n<td align=\"center\">40<\/td>\n<td align=\"center\">200<\/td>\n<td align=\"center\">500<\/td>\n<td align=\"center\">100<\/td>\n<td align=\"center\">300<\/td>\n<td align=\"center\">300<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td align=\"center\">2N3906<\/td>\n<td align=\"center\">TO-92<\/td>\n<td align=\"center\">40<\/td>\n<td align=\"center\">200<\/td>\n<td align=\"center\">500<\/td>\n<td align=\"center\">100<\/td>\n<td align=\"center\">300<\/td>\n<td align=\"center\">250<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td align=\"center\">BC337<\/td>\n<td align=\"center\">TO-92<\/td>\n<td align=\"center\">45<\/td>\n<td align=\"center\">500<\/td>\n<td align=\"center\">625<\/td>\n<td align=\"center\">100<\/td>\n<td align=\"center\">600<\/td>\n<td align=\"center\">100<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td align=\"center\">BC547<\/td>\n<td align=\"center\">TO-92<\/td>\n<td align=\"center\">45<\/td>\n<td align=\"center\">100<\/td>\n<td align=\"center\">500<\/td>\n<td align=\"center\">110<\/td>\n<td align=\"center\">800<\/td>\n<td align=\"center\">100<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td align=\"center\">BD135<\/td>\n<td align=\"center\">TO-126<\/td>\n<td align=\"center\">45<\/td>\n<td align=\"center\">1500<\/td>\n<td align=\"center\">8000<\/td>\n<td align=\"center\">40<\/td>\n<td align=\"center\">&gt; 40<\/td>\n<td align=\"center\">60<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<p><\/center><\/div>\n<p>\u00ab\u00a0<em>Package<\/em>\u00a0\u00bb signifie \u00ab\u00a0bo\u00eetier\u00a0\u00bb: il existe de nombreuses formes de bo\u00eetier, qui sont codifi\u00e9es. En voici quelques exemples:<\/p>\n<p align=\"center\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" src=\"http:\/\/pbelaire.free.fr\/images\/image40.gif\" alt=\"Bo\u00eetiers de transistors\" width=\"619\" height=\"260\" \/><\/p>\n<p>S&rsquo;agissant du brochage de tel mod\u00e8le particulier, il est imp\u00e9ratif de se reporter \u00e0 sa\u00a0<em>data sheet<\/em>\u00a0ou \u00e0 un catalogue.<br \/>\nOn notera que parmi les mod\u00e8les repr\u00e9sent\u00e9s ci-dessus, les BD135, TIP140 et 2N3055 sont des transistors dits \u00ab\u00a0de puissance\u00a0\u00bb. Le 2N3055 peut dissiper 115 watts! En revanche, leur gain en courant est limit\u00e9.<\/p>\n<blockquote><p>Le\u00a0<strong>BC547<\/strong>\u00a0est sans doute l&rsquo;un des transistors les plus r\u00e9pandus et il remplace bien souvent, sans autre forme de proc\u00e8s, des mod\u00e8les moins courants. Si vous envisagez de constituer un stock, le BC547 et le 2N2222 sont des r\u00e9f\u00e9rences \u00e0 choisir en priorit\u00e9.<\/p><\/blockquote>\n<p align=\"right\">\n<p align=\"left\"><i><span style=\"font-size: large;\">Le montage en \u00e9metteur commun<\/span><\/i><\/p>\n<p>Un transistor poss\u00e8de, on l&rsquo;a vu, trois connexions, ou \u00ab\u00a0pattes\u00a0\u00bb. On proc\u00e8de toujours (ou presque) de mani\u00e8re \u00e0 ce qu&rsquo;il y ait une patte commune \u00e0 l&rsquo;entr\u00e9e et \u00e0 la sortie du montage, d&rsquo;o\u00f9 trois montages possibles:<\/p>\n<ul>\n<li>en<strong>\u00a0\u00e9metteur commun<\/strong>: la patte commune est l&rsquo;\u00e9metteur, l&rsquo;entr\u00e9e est la base et la sortie le collecteur<\/li>\n<li>en\u00a0<strong>base commune<\/strong>: la patte commune est la base, l&rsquo;entr\u00e9e est l&rsquo;\u00e9metteur et la sortie le collecteur<\/li>\n<li>en\u00a0<strong>collecteur commun:<\/strong>\u00a0la patte commune est le collecteur, l&rsquo;entr\u00e9e est la base et la sortie l&rsquo;\u00e9metteur<\/li>\n<\/ul>\n<p>Le montage en<strong>\u00a0\u00e9metteur commun<\/strong>\u00a0est sans aucun doute le montage fondamental; il r\u00e9alise la fonction\u00a0<strong>amplification<\/strong>, essentielle en \u00e9lectronique. C&rsquo;est lui que nous allons bri\u00e8vement \u00e9tudier.<\/p>\n<p align=\"center\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" src=\"http:\/\/pbelaire.free.fr\/images\/imageC45.gif\" alt=\"Montage (th\u00e9orique) en \u00e9metteur commun\" width=\"392\" height=\"233\" \/><\/p>\n<p align=\"center\">Montage \u00e9l\u00e9mentaire (et quelque peu \u00ab\u00a0th\u00e9orique\u00a0\u00bb!) en \u00e9metteur commun.<\/p>\n<p align=\"left\">\n<p align=\"left\"><strong><span style=\"font-size: large;\">Mise en oeuvre du montage en \u00e9metteur commun<\/span><\/strong><\/p>\n<p align=\"left\">La mise en oeuvre d&rsquo;un transistor requiert:<\/p>\n<ul>\n<li>une\u00a0<strong>alimentation<\/strong>\u00a0continue Vcc, qui fournit les tensions de polarisation et l&rsquo;\u00e9nergie que le montage sera susceptible de fournir en sortie;<\/li>\n<li>des\u00a0<strong>r\u00e9sistances de polarisation<\/strong>. En effet, le transistor ne laisse passer le courant que dans un seul sens, comme \u00a0une diode: il va donc falloir le polariser, \u00e0 l&rsquo;aide de r\u00e9sistances, pour pouvoir y faire passer du courant alternatif (la composante alternative du courant \u00e9tant petite devant la composante continue);<\/li>\n<li>un ou des\u00a0<strong>condensateurs de liaison<\/strong>. Le plus souvent, le branchement de la source alternative d&rsquo;entr\u00e9e sur le montage se fera par l&rsquo;interm\u00e9diaire d&rsquo;un condensateur de liaison plac\u00e9 entre la source et le point d&rsquo;entr\u00e9e du montage \u00e0 transistor (la base s&rsquo;il s&rsquo;agit d&rsquo;un montage en \u00e9metteur commun). Bien que ce ne soit pas une r\u00e8gle absolue, le dispositif situ\u00e9 en aval du montage est lui aussi isol\u00e9 par un condensateur de liaison.<\/li>\n<\/ul>\n<p>Voyons tout cela de plus pr\u00e8s. La r\u00e9sistance Rb fixe le courant de base Ib, ce qui d\u00e9termine un courant de collecteur Ic \u00e9gal \u00e0\u00a0<span style=\"font-size: medium;\">\u00df<\/span>\u00a0Ib, selon la formule d\u00e9sormais bien connue. Le courant collecteur \u00e9tant fix\u00e9, la tension aux bornes de Rc est \u00e9gale, en vertu de la loi d&rsquo;Ohm, au produit de Rc par Ic.<br \/>\nPour calculer les r\u00e9sistances Rb et Rc, il faut alors partir de Ic et de Vceo.<br \/>\nOn fixe un courant collecteur de repos Ic (courant de polarisation). Ce courant variera entre une dizaine de \u00b5A (applications tr\u00e8s faible bruit) et une dizaine de mA (meilleures performances en haute fr\u00e9quence).<br \/>\nOn fixe ensuite une tension de collecteur V<sub>CE<\/sub>\u00a0g\u00e9n\u00e9ralement \u00e9gale \u00e0 Vcc\/2, de sorte que la tension du collecteur puisse varier autant vers le haut que vers le bas lorsqu&rsquo;on appliquera le signal alternatif.<br \/>\nLa valeur de la r\u00e9sistance de collecteur Rc, qui assure la polarisation de la jonction base-collecteur, est d\u00e9termin\u00e9e, toujours gr\u00e2ce \u00e0 la loi d&rsquo;Ohm, par le quotient de (Vcc &#8211; V<sub>CE<\/sub>) par Ic.<br \/>\nLa valeur de la r\u00e9sistance de base Rb, qui a pour r\u00f4le de fixer le courant de base, se calcule en divisant (Vcc -V<sub>BE<\/sub>) par le courant Ib, en prenant V<sub>BE<\/sub>\u00a0= 0,7 V et Ib \u00e9gal au quotient de Ic par\u00a0<span style=\"font-size: medium;\">\u00df<\/span>.<br \/>\nLe montage \u00e9tudi\u00e9 ci-dessus se r\u00e9v\u00e8le, dans la pratique, difficilement exploitable, en tout cas peu fiable. On a plut\u00f4t recours \u00e0 un montage qui ressemble davantage \u00e0 celui-ci, dont la base n&rsquo;est pas polaris\u00e9e par une unique r\u00e9sistance, mais par un pont de r\u00e9sistances:<\/p>\n<p align=\"center\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" src=\"http:\/\/pbelaire.free.fr\/images\/imageC46.gif\" alt=\"Montage en \u00e9metteur commun\" width=\"400\" height=\"243\" \/><\/p>\n<p align=\"center\">Montage fonctionnel en \u00e9metteur commun avec polarisation par pont de base.<\/p>\n<p>Simulons le fonctionnement de ce montage avec le logiciel\u00a0<em><strong>PSpice<\/strong><\/em>: notre sch\u00e9ma s&rsquo;articule autour d&rsquo;un mod\u00e8le de transistor tr\u00e8s r\u00e9pandu, le 2N2222.<\/p>\n<table border=\"0\">\n<tbody>\n<tr>\n<td><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" src=\"http:\/\/pbelaire.free.fr\/images\/imageC46A.gif\" alt=\"Montage en \u00e9metteur commun avec 2N2222\" width=\"460\" height=\"318\" \/><\/td>\n<td>\n<p align=\"justify\">Ce sch\u00e9ma est rigoureusement identique au sch\u00e9ma pr\u00e9c\u00e9dent. Le transistor est un petit NPN standard r\u00e9f\u00e9renc\u00e9 2N2222. On retrouve les r\u00e9sistances de collecteur (R1), d&rsquo;\u00e9metteur (R2) et du pont de base (R4 et R3). Le signal \u00e0 amplifier est issu d&rsquo;une source de tension alternative, de forme sinuso\u00efdale. L&rsquo;amplitude de ce signal est tr\u00e8s faible, puisqu&rsquo;elle vaut 0,01 volt.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<p>Voici l&rsquo;image du courant de base I<sub>b<\/sub>:<\/p>\n<p align=\"center\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" src=\"http:\/\/pbelaire.free.fr\/images\/imageC46B.gif\" alt=\"courant de base Ib\" width=\"581\" height=\"213\" \/><\/p>\n<p>Voici \u00e0 pr\u00e9sent l&rsquo;image du courant de collecteur I<sub>c<\/sub>\u00a0(attention au changement d&rsquo;\u00e9chelle pour l&rsquo;axe Y!):<\/p>\n<p align=\"center\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" src=\"http:\/\/pbelaire.free.fr\/images\/imageC46C.gif\" alt=\"courant de collecteur Ic\" width=\"580\" height=\"211\" \/><\/p>\n<p>On observe ici une amplification de I<sub>c<\/sub>\u00a0par rapport \u00e0 I<sub>b<\/sub>\u00a0(le gain en courant, ou\u00a0<span style=\"font-size: medium;\">\u00df<\/span>) de l&rsquo;ordre de 150.<br \/>\nCe qu&rsquo;il faut en d\u00e9finitive retenir du montage en \u00e9metteur commun, c&rsquo;est qu&rsquo;il procure une tr\u00e8s<strong>\u00a0<\/strong>bonne\u00a0<strong>amplification<\/strong>\u00a0du courant.<\/p>\n<blockquote><p>De nos jours, toutefois, on n&rsquo;utilise plus gu\u00e8re le transistor en tant que tel: on a plut\u00f4t recours \u00e0 des circuits int\u00e9gr\u00e9s sp\u00e9cialis\u00e9s (qui int\u00e8grent, comme leur nom l&rsquo;indique, des transistors).<\/p><\/blockquote>\n<p align=\"right\">\n<p><i><span style=\"font-size: large;\">Le montage \u00ab\u00a0darlington\u00a0\u00bb<\/span><\/i><br \/>\nLe montage\u00a0<strong>Darlington<\/strong>\u00a0associe deux transistors, l&rsquo;\u00e9metteur de l&rsquo;un \u00e9tant reli\u00e9 \u00e0 la base de l&rsquo;autre, les collecteurs \u00e9tant directement raccord\u00e9s \u00e0 la tension d&rsquo;alimentation, comme indiqu\u00e9 sur la figure ci-dessous:<\/p>\n<p align=\"center\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" src=\"http:\/\/pbelaire.free.fr\/images\/image39.gif\" alt=\"Darlington\" width=\"574\" height=\"218\" \/><\/p>\n<p>Ces deux transistors ainsi mont\u00e9s se comportent comme un seul transistor, dont le gain\u00a0<span style=\"font-size: medium;\">\u00df<\/span>\u00a0est \u00e9gal au produit des gains des deux transistors. On se doute qu&rsquo;il s&rsquo;agit, gr\u00e2ce \u00e0 ce montage, d&rsquo;obtenir une\u00a0<strong>forte amplification<\/strong>. L&rsquo;<a href=\"http:\/\/pbelaire.free.fr\/electronique_definition_impedance.htm\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">imp\u00e9dance<\/a>\u00a0d&rsquo;entr\u00e9e d&rsquo;un tel montage est tr\u00e8s grande et son imp\u00e9dance de sortie tr\u00e8s faible.<br \/>\nA noter qu&rsquo;il existe dans le commerce des transistors appel\u00e9s \u00ab\u00a0darlington\u00a0\u00bb, qui remplacent le montage du m\u00eame nom. A titre d&rsquo;exemple, voici les principaux param\u00e8tres de l&rsquo;un d&rsquo;eux:<\/p>\n<p align=\"left\">\n<div align=\"center\"><center><\/p>\n<table border=\"1\" cellpadding=\"2\">\n<tbody>\n<tr>\n<td align=\"center\" valign=\"top\"><strong>Type number<\/strong><\/td>\n<td align=\"center\" valign=\"top\"><strong>Package<\/strong><\/td>\n<td align=\"center\"><strong>V<\/strong><sub><strong>CES\u00a0<\/strong><\/sub><strong>max<\/strong><strong>(V)<\/strong><\/td>\n<td align=\"center\"><strong>I<\/strong><sub><strong>C<\/strong><\/sub><strong>\u00a0max<\/strong><strong>(mA)<\/strong><\/td>\n<td align=\"center\"><strong>P<\/strong><sub><strong>TOT<\/strong><\/sub><strong>(mW)<\/strong><\/td>\n<td align=\"center\" valign=\"top\"><strong>h<\/strong><sub><strong>FE<\/strong><\/sub><strong>\u00a0min<\/strong><\/td>\n<td align=\"center\" valign=\"top\"><strong>h<\/strong><sub><strong>FE<\/strong><\/sub><strong>\u00a0max<\/strong><\/td>\n<td align=\"center\"><sub><strong>PNP<\/strong><\/sub><strong>compl.<\/strong><\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td align=\"center\">BC875<\/td>\n<td align=\"center\">TO-92<\/td>\n<td align=\"center\">45<\/td>\n<td align=\"center\">1000<\/td>\n<td align=\"center\">830<\/td>\n<td align=\"center\">1000<\/td>\n<td align=\"center\">&gt;1000<\/td>\n<td align=\"center\">BC878<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<p><\/center><\/div>\n<p>V<sub>CES<\/sub>\u00a0signifie tension collecteur \u00e9metteur, avec V<sub>BE\u00a0<\/sub>= 0. Le mod\u00e8le r\u00e9f\u00e9renc\u00e9 BC875 est un NPN moyenne puissance (presque 1 watt); son PNP \u00ab\u00a0compl\u00e9mentaire\u00a0\u00bb est le BC878.<\/p>\n<p align=\"right\">\n<p><i><span style=\"font-size: large;\">Le montage \u00ab\u00a0push-pull\u00a0\u00bb<\/span><\/i><br \/>\nLe montage\u00a0<strong>push-pull<\/strong>\u00a0(<em>push<\/em>, en anglais, signifie pousser,\u00a0<em>pull<\/em>\u00a0signifie tirer), encore appel\u00e9 montage\u00a0<strong>sym\u00e9trique<\/strong>, est un grand classique en amplification de puissance des signaux alternatifs. Voici, bri\u00e8vement, son principe:<\/p>\n<table border=\"0\">\n<tbody>\n<tr>\n<td><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" src=\"http:\/\/pbelaire.free.fr\/images\/image39bis.gif\" alt=\"Push pull\" width=\"339\" height=\"194\" \/><\/td>\n<td>\n<p align=\"justify\">Ce montage est construit autour de deux transistors, un NPN not\u00e9 T1 et son PNP compl\u00e9mentaire, not\u00e9 T2. Les deux transistors conduisent le courant de collecteur tour \u00e0 tour, pendant une alternance du cycle alternatif. Ce qui revient \u00e0 dire que chaque transistor est bloqu\u00e9 pendant une demi-p\u00e9riode du signal alternatif et passant durant l&rsquo;autre.<\/p>\n<p align=\"justify\">Pour obtenir une amplification correcte, il est ici n\u00e9cessaire d&#8217;employer deux transistors compl\u00e9mentaires (m\u00eames param\u00e8tres, seule la polarit\u00e9, NPN ou PNP, diff\u00e8re) et une alimentation sym\u00e9trique.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<p align=\"right\">\n<p><i><span style=\"font-size: large;\">Le transistor utilis\u00e9 en commutateur<\/span><\/i><br \/>\nLe transistor remplit, outre l&rsquo;amplification, une autre fonction essentielle en \u00e9lectronique: la\u00a0<strong>commutation<\/strong>. Selon qu&rsquo;il est bloqu\u00e9 ou passant, on peut alors l&rsquo;assimiler \u00e0 un interrupteur, ouvert ou ferm\u00e9. Bien entendu, la commande de cet interrupteur n&rsquo;est pas \u00ab\u00a0manuelle\u00a0\u00bb: elle se fait par l&rsquo;interm\u00e9diaire de signaux \u00e9lectriques.<\/p>\n<p align=\"center\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" src=\"http:\/\/pbelaire.free.fr\/images\/schema07.gif\" alt=\"Transistors utilis\u00e9s en commutateurs\" width=\"548\" height=\"245\" \/><\/p>\n<p>Dans ce petit montage, le transistor NPN ou PNP pilote une DEL de visualisation selon le niveau logique, haut ou bas (\u00ab\u00a01\u00a0\u00bb ou \u00ab\u00a00\u00a0\u00bb), du signal d&rsquo;entr\u00e9e.<br \/>\nVoici une version plus sophistiqu\u00e9e de ce montage: il permet de visualiser, \u00e0 l&rsquo;aide de trois DEL, l&rsquo;\u00e9tat de trois entr\u00e9es not\u00e9es A, B et C. La table de v\u00e9rit\u00e9 indique laquelle des DEL est allum\u00e9e selon les diff\u00e9rentes possibilit\u00e9s. Le r\u00f4le des transistors (par exemple des 2N2222, tr\u00e8s r\u00e9pandus) consiste, comme ci-dessus, \u00e0 piloter les DEL.<\/p>\n<blockquote><p>Notons au passage que les sch\u00e9mas propos\u00e9s ici se pr\u00eatent tout particuli\u00e8rement \u00e0 des montages \u00e0 vocation didactique, sur plaquette \u00e0 connexions rapides, sans soudure.<\/p><\/blockquote>\n<div align=\"center\"><center><\/p>\n<table border=\"0\" cellspacing=\"3\" cellpadding=\"2\">\n<tbody>\n<tr>\n<td><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" src=\"http:\/\/pbelaire.free.fr\/images\/Image_2N2222.jpg\" alt=\"brochage 2N2222\" width=\"168\" height=\"167\" \/><\/td>\n<td><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" src=\"http:\/\/pbelaire.free.fr\/images\/schema08.gif\" alt=\"Exemple de sch\u00e9ma\" width=\"347\" height=\"275\" \/><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<p><\/center><\/div>\n<p>Le 2N2222 est un transistor NPN destin\u00e9 \u00e0 la commutation rapide (<em>high-speed switch<\/em>, en anglais). Voici ses principaux param\u00e8tres:<\/p>\n<div align=\"center\"><center><\/p>\n<table border=\"1\" cellpadding=\"2\">\n<tbody>\n<tr>\n<td align=\"center\" valign=\"top\"><strong>Type number<\/strong><\/td>\n<td align=\"center\" valign=\"top\"><strong>Package<\/strong><\/td>\n<td align=\"center\"><strong>V<\/strong><sub><strong>CE<\/strong><\/sub><strong>\u00a0max<\/strong><strong>(V)<\/strong><\/td>\n<td align=\"center\"><strong>I<\/strong><sub><strong>C<\/strong><\/sub><strong>\u00a0max<\/strong><strong>(mA)<\/strong><\/td>\n<td align=\"center\"><strong>P<\/strong><sub><strong>TOT<\/strong><\/sub><strong>(mW)<\/strong><\/td>\n<td align=\"center\" valign=\"top\"><strong>h<\/strong><sub><strong>FE<\/strong><\/sub><strong>\u00a0min<\/strong><\/td>\n<td align=\"center\" valign=\"top\"><strong>h<\/strong><sub><strong>FE<\/strong><\/sub><strong>\u00a0max<\/strong><\/td>\n<td align=\"center\"><strong>f<\/strong><sub><strong>T<\/strong><\/sub><strong>(MHz)<\/strong><\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td align=\"center\">2N2222<\/td>\n<td align=\"center\">TO-18<\/td>\n<td align=\"center\">30<\/td>\n<td align=\"center\">800<\/td>\n<td align=\"center\">500<\/td>\n<td align=\"center\">30<\/td>\n<td align=\"center\">300<\/td>\n<td align=\"center\">250<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<p><\/center><\/div>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<table border=\"0\" cellspacing=\"5\" cellpadding=\"5\">\n<tbody>\n<tr>\n<td><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" src=\"http:\/\/pbelaire.free.fr\/images\/schema07bis.gif\" alt=\"Montage \u00e9quivalent \u00e0 une porte logique NON\" width=\"336\" height=\"204\" \/><\/td>\n<td valign=\"top\">\n<p align=\"justify\">Utilis\u00e9 en commutateur, le transistor permet de r\u00e9aliser des fonctions tr\u00e8s complexes.<\/p>\n<p align=\"justify\">Le montage ci-contre, associant un transistor PNP et un transistor NPN, \u00e9quivaut \u00e0 une porte logique NON. Lorsque la tension d&rsquo;entr\u00e9e Ve est nulle, le transistor NPN est bloqu\u00e9, la tension de sortie Vs est \u00e9gale \u00e0 la tension d&rsquo;alimentation. Si la tension d&rsquo;entr\u00e9e Ve est \u00e9gale \u00e0 la tension d&rsquo;alimentation Vcc, c&rsquo;est le transistor PNP qui est bloqu\u00e9 et alors la tension de sortie Vs est \u00e9gale \u00e0 0. Ce montage est r\u00e9alis\u00e9 \u00e0 l&rsquo;aide de transistors compl\u00e9mentaires.<\/p>\n<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<p align=\"right\">\n<p><i><span style=\"font-size: large;\">Le transistor \u00e0 effet de champ (FET)<\/span><\/i><br \/>\nA titre documentaire, il existe\u00a0une autre grande famille technologique de transistors: les transistors \u00e0 effet de champ (<em>Field Effect Transistor<\/em>, en anglais, FET). On peut les d\u00e9finir comme des sources de courant command\u00e9es en tension.<br \/>\nOn conna\u00eet deux types de transistors bipolaires: les NPN et les PNP. Le FET \u00e0 jonction (ou JFET) est pareillement d\u00e9clin\u00e9 en deux versions: le FET\u00a0<strong>canal N<\/strong>\u00a0et le FET\u00a0<strong>canal P<\/strong>.<br \/>\nLe FET \u00e0 jonction canal N est constitu\u00e9 d&rsquo;une mince plaquette de silicium N qui va former le canal conducteur principal. Cette plaquette est recouverte partiellement d&rsquo;une couche de silicium P, de mani\u00e8re \u00e0 former une jonction PN lat\u00e9rale par rapport au canal.<\/p>\n<p align=\"center\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" src=\"http:\/\/pbelaire.free.fr\/images\/imageC47.gif\" alt=\"FET\" width=\"515\" height=\"161\" \/><\/p>\n<p>Le courant entre par une premi\u00e8re \u00e9lectrode, appel\u00e9e le\u00a0<strong>drain<\/strong>, circule dans le canal, et sort par une deuxi\u00e8me \u00e9lectrode, la\u00a0<strong>source<\/strong>. L&rsquo;\u00e9lectrode connect\u00e9e \u00e0 la couche de silicium P, la\u00a0<strong>grille<\/strong>, sert \u00e0 commander la conduction du courant dans le canal. Le transistor FET fonctionne toujours avec la jonction grille canal polaris\u00e9e en inverse.<br \/>\nLe FET \u00e0 jonction n&rsquo;est pas adapt\u00e9 aux forts courants. Son domaine d&rsquo;application se limite \u00e0 l&rsquo;amplification des petits signaux. On l&rsquo;utilise notamment dans des montages \u00e0 haute\u00a0<a href=\"http:\/\/pbelaire.free.fr\/electronique_definition_impedance.htm\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">imp\u00e9dance<\/a>\u00a0d&rsquo;entr\u00e9e et faible bruit, tels que les pr\u00e9amplificateurs pour signaux de faible niveau. Ajoutons que la mise en oeuvre des FET s&rsquo;av\u00e8re tr\u00e8s d\u00e9licate. En revanche, les FET sont souvent int\u00e9gr\u00e9s dans des circuits comme les amplificateurs op\u00e9rationnels (AOP), que nous verrons plus loin.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Utilit\u00e9 des transistors Invent\u00e9 en 1948 par les Am\u00e9ricains\u00a0J. Bardeen, W. Brattain et W. Shockley, le transistor est un composant \u00e0 semi-conducteur qui remplit deux fonctions vitales en \u00e9lectronique: celles d&rsquo;amplificateur\u00a0(c&rsquo;est un g\u00e9n\u00e9rateur de fort courant en sortie command\u00e9 par un faible courant en entr\u00e9e) et de\u00a0commutateur\u00a0(\u00e0 la mani\u00e8re d&rsquo;un interrupteur marche\/arr\u00eat). Certains transistors sont &hellip; <a href=\"https:\/\/ordi-tech.fr\/index.php\/les-transistors\/\" class=\"more-link\">Continuer la lecture de <span class=\"screen-reader-text\">Les transistors<\/span><\/a><\/p>\n","protected":false},"author":2,"featured_media":0,"parent":0,"menu_order":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","template":"","meta":{"footnotes":""},"class_list":["post-155","page","type-page","status-publish","hentry"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/ordi-tech.fr\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/pages\/155","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/ordi-tech.fr\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/pages"}],"about":[{"href":"https:\/\/ordi-tech.fr\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/types\/page"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ordi-tech.fr\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/users\/2"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ordi-tech.fr\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=155"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/ordi-tech.fr\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/pages\/155\/revisions"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/ordi-tech.fr\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=155"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}